9月27日，2020世界新能源汽车大会云峰会之一——“第三代半导体Sic技术应用”在线上举行。多位行业专家学者围绕第三代宽禁带半导体Sic技术，从芯片、模块、封装、材料、工艺、测试及其在电机控制器的应用等方面进行了讨论，聚焦前沿技术和产业发展。

本次峰会由国家新能源汽车技术创新中心副总经理邹广才主持。线上会议中，清华大学微电子所长聘教授王燕首先对器件模型的类型进行了介绍，并针对SiC功率MOSFET器件模型的研究现状、存在问题等进行分析，同时对器件的不同建模方法中I–V特性表征的优缺点进行对比。另外，对于其带领的研究团队基于DataSheet紧凑模型建立方法所做的相关研究工作进行了详细介绍。

安徽大学特聘教授曹文平进行了题为“面向未来电动汽车的碳化硅IPM2.0技术”的演讲，介绍了其带领的研究团队在SiC智能功率模块技术（IPM2.0）方面的最新研究进展与成果，对其未来产业化落地充满期待。

中国科学院电工研究所研究员徐菊进行了题为“SiC电力电子模块热管理办法及封装材料发展趋势”的演讲，从热管理角度分析了影响电力电子模块可靠性的关键因素，对电力电子器件及模块的散热管理方法及封装趋势等进行介绍，并分享了电工所在热管理相关材料性能与工艺等方面的最新研究进展与成果。

中国科学院微电子研究所副研究员许恒宇围绕“SiC芯片筛选评估技术”主题进行演讲，针对SiC芯片在材料、器件和工艺、功率模块等方面该如何进行筛选评估展开介绍，并分享了其研究团队在SiC芯片筛选研究方面的实践经验，提出了关于SiC芯片可靠性和器件筛选新的研究方向。